2022年受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲軟影響，芯片行業(yè)整體處于下行周期，2022年末芯片指數(shù)較年初下降27.16%，其中存儲(chǔ)芯片受到的影響最大，2022年末板塊指數(shù)較年初下降32.25%。
2023年初以來(lái)在AI算力預(yù)期需求刺激以及國(guó)產(chǎn)替代加速背景下，疊加國(guó)際大廠相繼宣布大幅下調(diào)資本支出對(duì)市場(chǎng)釋放出供給擴(kuò)張減緩信號(hào)，板塊迎來(lái)反彈，存儲(chǔ)板塊指數(shù)從年初至今上漲48.1%，對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)目前所處現(xiàn)狀以及產(chǎn)業(yè)鏈上相關(guān)公司，本文來(lái)分析一下。
資料來(lái)源：wind，鈦媒體產(chǎn)業(yè)研究部
存儲(chǔ)芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)對(duì)電子或電荷充放電標(biāo)記不同的存儲(chǔ)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，根據(jù)斷電后存儲(chǔ)的信息是否保留，存儲(chǔ)芯片分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。
易失性存儲(chǔ)芯片在斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)消失，包括靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）；非易失性存儲(chǔ)芯片在斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍會(huì)保留，包括快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）。
其中Flash Memory又分為NOR Flash和NAND Flash，NOR Flash可以在其上面直接運(yùn)行代碼，讀寫速度更快，但容量較小，NAND Flash寫入和擦除速度更快，容量較大。
常用的存儲(chǔ)芯片主要包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash，按出貨量來(lái)看，DRAM市場(chǎng)份額最高，根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2021年DRAM出貨量市場(chǎng)占比達(dá)到43%，NAND Flash和NOR Flash出貨量市場(chǎng)占比分別為30%和9%。
目前存儲(chǔ)芯片主要被國(guó)外廠商壟斷，國(guó)產(chǎn)化率較低，其中DRAM市場(chǎng)目前主要被海外廠商三星、海力士和美光三家壟斷，2021年全球市場(chǎng)份額分別為43%、28%和23%，CR3達(dá)到94%，集中度最高。
NAND Flash被三星、鎧俠、海力士以及美光等六家廠商壟斷，CR6為93%，其中三星2021年市場(chǎng)份額占34%，排名第一；NOR Flash被旺宏和華邦壟斷，2021年兩家全球市場(chǎng)份額之和為52%，兆易創(chuàng)新以18%的市占率排名第三。
通常在下游市場(chǎng)需求增加時(shí)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)相關(guān)廠商會(huì)擴(kuò)大生產(chǎn)，但由于產(chǎn)線建設(shè)導(dǎo)致產(chǎn)能釋放需要一段時(shí)間，導(dǎo)致供需產(chǎn)生錯(cuò)配，疊加庫(kù)存因素影響，使存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有明顯的周期性。
根據(jù)RAM和CPU的時(shí)鐘頻率是否同步，DRAM分為同步DRAM（SDRAM）和異步DRAM，SDRAM已由DDR迭代到目前的DDR5，代數(shù)越高，芯片性能越強(qiáng)，目前DDR4為DRAM市場(chǎng)主流，2021年市場(chǎng)份額占比90%，DDR3及以下產(chǎn)品占比10%，國(guó)內(nèi)廠商兆易創(chuàng)新和北京君正也已實(shí)現(xiàn)DDR4產(chǎn)品量產(chǎn)銷售。
從存儲(chǔ)芯片價(jià)格歷史走勢(shì)來(lái)看，2013年之后的兩次下行周期在1.5-2年之間，本次DRAM價(jià)格從2022年2月下旬開(kāi)啟下行周期，目前價(jià)格跌幅已超過(guò)50%，其中DDR4 8G產(chǎn)品最高跌幅已達(dá)到64.03%，從目前DRAM價(jià)格走勢(shì)來(lái)看，仍保持下降趨勢(shì)。
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雖然行業(yè)仍未觸底，但目前已有跌幅縮窄跡象，一方面DRAM產(chǎn)品目前現(xiàn)貨價(jià)格已接近周期底部，另一方面頭部廠商存貨已見(jiàn)頂，根據(jù)3月29日美光公布的2023年公司二季度財(cái)報(bào)，公司二季度末存貨為81.29億美元，較一季度末的83.59億美元有所下降，同時(shí)也是自公司2021年底以來(lái)存貨首次下降。
此外，各存儲(chǔ)龍頭廠商也紛紛減少了2023年資本支出，同時(shí)降低產(chǎn)能利用率來(lái)減少存儲(chǔ)芯片供給，海力士和美光2023年資本支出分別減少50%和40%，同時(shí)將會(huì)降低產(chǎn)品投片量；西部數(shù)據(jù)宣布減少2023年資本支出，并削減30%的產(chǎn)能；三星也宣布將降低存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量。
DXI指數(shù)為集邦咨詢2013年創(chuàng)建的指數(shù)，用來(lái)反映主流DRAM價(jià)格變化趨勢(shì)，目前DXI指數(shù)已由2022年3月下旬41711.95點(diǎn)的高點(diǎn)下降至目前的22034.64點(diǎn)，下降幅度達(dá)到41.17%。
作為存儲(chǔ)龍頭，三星、海力士以及美光股價(jià)走勢(shì)存在一定相關(guān)性，其中由于海力士主營(yíng)業(yè)務(wù)集中在存儲(chǔ)芯片上，用海力士股價(jià)走勢(shì)與DXI指數(shù)變化觀察兩者之間變化關(guān)系。
通過(guò)兩者走勢(shì)可觀察到海力士股價(jià)與DXI指數(shù)之間具有明顯關(guān)聯(lián)性，且海力士股價(jià)走勢(shì)變化較DXI指數(shù)早2-6個(gè)月左右，目前海力士股價(jià)較之前低點(diǎn)有所反彈，后續(xù)可通過(guò)重點(diǎn)跟蹤公司股價(jià)走勢(shì)來(lái)觀察DXI指數(shù)變化趨勢(shì)。
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3月31日，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室發(fā)布公告，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，對(duì)美光在華銷售產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查，顯示對(duì)供應(yīng)鏈自主可控高度重視，后期若美光在華銷售受阻，將加快存儲(chǔ)芯片的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度。
作為全球DRAM第二大市場(chǎng)和NAND第一大市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片需求量巨大，加上政策支持，國(guó)產(chǎn)廠商迎來(lái)快速發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈包括上游設(shè)備、材料，中游芯片制造環(huán)節(jié)以及下游消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域。
上游設(shè)備廠商包括北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技和芯源微等，作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，北方華創(chuàng)設(shè)備覆蓋廣，產(chǎn)品包括刻蝕、沉積及清洗等設(shè)備。
材料廠商包括江化微、TCL中環(huán)、阿石創(chuàng)、南大光電、江豐電子、鼎龍股份、滬硅產(chǎn)業(yè)等。
設(shè)計(jì)廠商包括兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份和瀾起科技等，其中北京君正為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)龍頭，公司DDR4產(chǎn)品已量產(chǎn)銷售，8G LPDDR4于 2022年4季度送樣，兆易創(chuàng)新作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)和MCU龍頭，2021年已量產(chǎn)DDR4產(chǎn)品。
制造廠商包括長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為國(guó)內(nèi)DRAM龍頭，目前已可生產(chǎn)DDR4和LPDDR4產(chǎn)品，并將在2023年第二季度試產(chǎn)17nm的DDR5產(chǎn)品；長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)NAND龍頭，同時(shí)也是全球首發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)232層3D NAND產(chǎn)品的廠商。
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