按平臺(tái)劃分，高性能計(jì)算（HPC）和智能手機(jī)分別占凈營(yíng)收的55%和32%，而物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、汽車、數(shù)據(jù)通信設(shè)備（DCE）和其他分別占5%、5%、1%和2%。來自北美地區(qū)的客戶的收入占臺(tái)積電總凈收入的74%，而來自亞太地區(qū)，中國(guó)大陸、日本和歐洲、中東、非洲（EMEA）的收入分別占總凈收入的9%、9%、4%和4%。
“對(duì)人工智能的需求依然非常強(qiáng)勁，推動(dòng)了整個(gè)服務(wù)器行業(yè)的芯片總需求。”Counterpoint Research高級(jí)分析師杰克·萊伊（Jake Lai）表示，并預(yù)測(cè)2026年將是人工智能服務(wù)器需求的又一個(gè)“爆發(fā)年”。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)，2026年資本支出520億美元至560億美元，而公司2025年資本支出總計(jì)409億美元。這一高額資本支出規(guī)劃與行業(yè)整體趨勢(shì)一致，集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2026年全球前十大晶圓代工廠總資本支出將同比增長(zhǎng)13.3%，主要用于先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)充。
2025年Q1，臺(tái)積電營(yíng)收8392.5億新臺(tái)幣，超出預(yù)期的8351.3億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)41.76%；凈利潤(rùn)為3615.6億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)60.3%。3nm制程營(yíng)收占比22%，5nm占比36%，7nm占比15%。
Q2臺(tái)積電合并營(yíng)收約9337.9億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)38.6%，凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)60.7%。3nm制程營(yíng)收占比24%，5nm占比36%，7nm占比14%。
Q3臺(tái)積電合并營(yíng)收約9899.2億元新臺(tái)幣，同比增30.3%，凈利潤(rùn)為4523億新臺(tái)幣，同比增39.1%。3nm制程營(yíng)收占比23%，5nm占比37%，7nm占比14%。
結(jié)合本次披露的 Q4 營(yíng)收數(shù)據(jù)，可完整梳理出2025 年全年?duì)I收情況，臺(tái)積電全年?duì)I收1224.2億美元，同比增長(zhǎng)35.9%；EPS 66.25新臺(tái)幣，增長(zhǎng)46.4%。
“隨著臺(tái)積電正在進(jìn)行的2納米產(chǎn)能擴(kuò)建以及新生產(chǎn)線的投入運(yùn)營(yíng)為收入做出貢獻(xiàn)，再加上先進(jìn)封裝的持續(xù)擴(kuò)展……臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2026年仍將保持強(qiáng)勁表現(xiàn)。”萊伊說道。
2025年12月，臺(tái)積電在其2nm 技術(shù)官方網(wǎng)頁上發(fā)表聲明稱：“臺(tái)積電的 2nm (N2) 技術(shù)已按計(jì)劃于 2025 年第四季度開始量產(chǎn)。 ”
業(yè)界分析曾指出，N2預(yù)計(jì)從今年下半年開始為臺(tái)積電貢獻(xiàn)營(yíng)收；由于需求旺盛、定價(jià)高昂，2nm 有望超越此前的 5nm 和 3nm 成為“最旺的一代制程”。摩根大通（JPM）報(bào)告指出，臺(tái)積電 2nm 工藝流片數(shù)量達(dá)到 3nm 同期的 1.5 倍，并有望憑借 2nm 工藝拿下全球 AI 加速器市場(chǎng)超過 95% 的份額。
目前，中國(guó)臺(tái)灣本島的2nm生產(chǎn)基地有新竹科學(xué)園區(qū)晶圓20廠、高雄晶圓22廠這兩座廠，其中高雄晶圓22廠是主要量產(chǎn)基地。當(dāng)前，這兩座廠的月產(chǎn)能可以達(dá)到3.5萬片，并且產(chǎn)能正在持續(xù)爬坡，2026年底有望達(dá)到月產(chǎn)8~10萬片。
2nm制程新廠也在馬不停蹄地開建中，比如上個(gè)月臺(tái)積電就申請(qǐng)?jiān)谂_(tái)南科學(xué)園區(qū)特定區(qū)域里再蓋一座廠，預(yù)計(jì)最后一共會(huì)有5~6座廠。
分析師預(yù)測(cè)，3nm 產(chǎn)能將于 2026 年觸頂，屆時(shí) 2nm 制程將接棒成為核心增長(zhǎng)點(diǎn)。隨著 2nm 訂單量激增，該制程營(yíng)收有望在 2026 年Q3超越 3nm 與 5nm 營(yíng)收之和。
群智咨詢最新發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2025 年第四季度，全球主流晶圓廠平均產(chǎn)能利用率已回升至90%，同比提升約 7 個(gè)百分點(diǎn)。
這一輪產(chǎn)能利用率的修復(fù)節(jié)奏超出市場(chǎng)預(yù)期，核心驅(qū)動(dòng)力來自兩大板塊的需求拉動(dòng)：一是AI 應(yīng)用的爆發(fā)，直接帶動(dòng)電源管理芯片、模擬芯片等相關(guān)產(chǎn)品的訂單量激增；二是車載、工控等下游領(lǐng)域的需求回暖，進(jìn)一步消化了晶圓代工產(chǎn)能。
分制程來看，8 英寸晶圓產(chǎn)線延續(xù)了此前的滿載狀態(tài)，相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格已進(jìn)入上行通道；而 12 英寸制程中，55nm、90nm 等成熟工藝的供需關(guān)系正持續(xù)趨緊，市場(chǎng)預(yù)計(jì) 2026 年將迎來一輪普漲行情。
各制程晶圓代工價(jià)格趨勢(shì)詳解
12英寸方面，7nm及以下制程的主要代工公司臺(tái)積電表示2026年先進(jìn)制程漲幅將達(dá)3%至10%。這也是其連續(xù)第四年調(diào)升價(jià)格。
28/40nm制程下游覆蓋 MCU、Wi-Fi 芯片、OLED 驅(qū)動(dòng)芯片等領(lǐng)域，需求抗波動(dòng)性強(qiáng) —— 市場(chǎng)下行期保持穩(wěn)定，AI 需求爆發(fā)期增長(zhǎng)溫和。2025 年產(chǎn)能利用率持續(xù)高位，2026 年晶合集成等大陸廠商新產(chǎn)能釋放，行業(yè)供需趨于平衡，全年報(bào)價(jià)無顯著變化。
55/90nm制程主打高端電源管理芯片、Nor Flash 等產(chǎn)品，在 AI 需求增長(zhǎng)、DRAM/NAND 存儲(chǔ)供應(yīng)緊張的雙重驅(qū)動(dòng)下，需求持續(xù)攀升。目前多數(shù)大陸代工廠已釋放漲價(jià)信號(hào)，部分廠商已落地漲價(jià)；受二線晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)牽制，頭部廠商漲價(jià)暫未在 2026 年 Q1 落地，預(yù)計(jì)行業(yè)普漲將集中在 Q2-Q3。
關(guān)于全球十大12英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能投片方面，集邦咨詢預(yù)計(jì)2026年成熟制程與先進(jìn)制程的總投片量將增至332.6萬片，較2025年的300萬片同比增長(zhǎng)11%。其中，新增投片量中約有75%是成熟制程，25%是先進(jìn)制程。
在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)中，2nm工藝的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)約為5.5萬片，主要由臺(tái)積電貢獻(xiàn)；3nm產(chǎn)能被英偉達(dá)、AMD及主要云端廠商的自研芯片集中占據(jù)，目前月產(chǎn)能僅約3000片。
在成熟制程節(jié)點(diǎn)方面，28nm/22nm節(jié)點(diǎn)的月投片5.4萬片，45nm/40nm節(jié)點(diǎn)的月投片5.3萬片，65nm/55nm及90nm/80nm節(jié)點(diǎn)的月投片6.2萬片。2026年新增成熟制程產(chǎn)能中，約有77%來自中國(guó)大陸地區(qū)。隨著中國(guó)大陸地區(qū)新建產(chǎn)能陸續(xù)釋放，到2026年該地區(qū)28nm產(chǎn)能占比將待36%，40nm產(chǎn)能占比33%，55nm產(chǎn)能占比28%，90nm產(chǎn)能占比3%。
8英寸方面，漲價(jià)原因主要有兩點(diǎn)。第一點(diǎn)，部分國(guó)際大廠比如臺(tái)積電、三星、恩智浦削減8英寸晶圓產(chǎn)能，導(dǎo)致中芯國(guó)際、世界先進(jìn)等盡管在小幅擴(kuò)產(chǎn)，但仍不及兩大廠減產(chǎn)幅度。另一方面，AI、車載應(yīng)用持續(xù)拉動(dòng)，也導(dǎo)致8英寸代工供應(yīng)緊張。2026 年 Q1 起八英寸晶圓代工行業(yè)整體漲幅達(dá) 5%-10%。與此同時(shí)，供需關(guān)系的緊張也將加速電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)、傳感器等應(yīng)用從 8 英寸向 12 英寸制程遷移。
具體廠商漲幅方面，中芯國(guó)際已正式向下游客戶發(fā)布漲價(jià)通知，明確對(duì)8英寸BCD工藝代工提價(jià)約10%。隨后中國(guó)臺(tái)灣晶圓廠世界先進(jìn)迅速跟進(jìn)，同款工藝漲價(jià)幅度同樣達(dá)到10%。早在二季度，華虹半導(dǎo)體就已率先上調(diào)成熟制程價(jià)格，三季度便顯現(xiàn)盈利成效。
這一表現(xiàn)與8英寸產(chǎn)能利用率梯隊(duì)分布相符：華虹、中芯國(guó)際及世界先進(jìn)處于第一梯隊(duì)，產(chǎn)能利用率均超過90%，其中華虹與中芯國(guó)際受益于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求及政策導(dǎo)向，世界先進(jìn)則承接大量AI相關(guān)PMIC訂單；臺(tái)積電、格羅方德等處于第二梯隊(duì)，產(chǎn)能利用率在70%至90%之間；聯(lián)電和三星則處于第三梯隊(duì)，產(chǎn)能利用率不足70%。
如今，傳統(tǒng)的“晶圓代工 1.0”定義僅聚焦于芯片制造環(huán)節(jié)，已無法充分反映當(dāng)前行業(yè)動(dòng)態(tài)。Counterpoint 提出“晶圓代工 2.0”概念，將純晶圓代工廠、非存儲(chǔ) IDM、OSAT 廠商以及光掩膜供應(yīng)商納入統(tǒng)一分析框架。
根據(jù)Counterpoint Research 最新發(fā)布的《按節(jié)點(diǎn)劃分的代工收入、良率與產(chǎn)能利用率追蹤報(bào)告》，2025 年 Q3 全球晶圓代工 2.0 市場(chǎng)營(yíng)收同比增長(zhǎng) 17%，達(dá)到 848 億美元。這一兩位數(shù)增長(zhǎng)主要來自 AI GPU 在前端晶圓制造及后端先進(jìn)封裝領(lǐng)域的持續(xù)需求。
具體來看，以下四點(diǎn)趨勢(shì)：
第一點(diǎn)，得益于先進(jìn)制程加持，臺(tái)積電壟斷優(yōu)勢(shì)加劇。在純晶圓代工廠中，臺(tái)積電持續(xù)領(lǐng)跑整體市場(chǎng)，營(yíng)收同比增長(zhǎng) 41%。增長(zhǎng)主要來自蘋果旗艦智能手機(jī) 3nm 芯片的量產(chǎn)爬坡，以及 NVIDIA、AMD、Broadcom 等 AI 加速器客戶對(duì) 4/5nm 制程的滿載需求。
第二點(diǎn)，非臺(tái)積電晶圓代工廠增長(zhǎng)趨緩。非臺(tái)積電晶圓代工廠整體在 2025 年 Q3 實(shí)現(xiàn) 6% 的同比增長(zhǎng)，低于 2025 年 Q2 的 11%。其中，中國(guó)晶圓代工廠表現(xiàn)相對(duì)突出，在關(guān)稅效應(yīng)減弱的情況下，仍在本土政策支持下實(shí)現(xiàn) 12% 的同比增長(zhǎng)。
第三點(diǎn)，非存儲(chǔ)IDM 企業(yè)迎來復(fù)蘇。非存儲(chǔ) IDM 廠商整體恢復(fù)增長(zhǎng)，同比提升 4%，表明庫(kù)存去化周期已接近尾聲。德州儀器以 14% 的同比增長(zhǎng)領(lǐng)跑，而意法半導(dǎo)體也顯示出下滑趨勢(shì)緩解的跡象。
第四點(diǎn)，OSAT 行業(yè)持續(xù)繁榮。OSAT 行業(yè)在 2025 年 Q3 營(yíng)收同比增長(zhǎng) 10%（2024 年同期為 5%）。日月光與矽品成為當(dāng)季主要增長(zhǎng)貢獻(xiàn)者，其 FOCoS（扇出型基板芯片封裝）方案受益于臺(tái)積電為滿足 AI GPU 與 AI ASIC 需求而外溢的訂單。Counterpoint 預(yù)計(jì)，2026 年先進(jìn)封裝產(chǎn)能將同比大幅提升100%，因此 AI GPU 與 AI ASIC 將在 2025–2026 年成為OSAT 廠商最主要的增長(zhǎng)引擎。
不過就目前來看，筆者認(rèn)為接下來的晶圓代工市場(chǎng)將呈現(xiàn)明顯的第五點(diǎn)趨勢(shì)：
第五點(diǎn)，存儲(chǔ)代工廠需求強(qiáng)勁，成為晶圓代工2.0時(shí)代的新增長(zhǎng)極。當(dāng)前市場(chǎng)火熱的存儲(chǔ)芯片主要采用成熟制程，除了追求極限密度的DRAM和NAND Flash主流產(chǎn)品線需采用10nm級(jí)及以下的先進(jìn)制程外，許多通用的、對(duì)成本和穩(wěn)定性要求較高的存儲(chǔ)芯片，例如某些類型的DRAM、NOR Flash以及中小容量產(chǎn)品，會(huì)使用成熟制程（通常指28納米及以上，如40納米、55納米等）進(jìn)行制造。
在此前2025年Q3業(yè)績(jī)說明會(huì)上，中芯國(guó)際CEO趙海軍表示當(dāng)存儲(chǔ)市場(chǎng)供給短缺5%時(shí)，產(chǎn)品價(jià)格將翻倍；而當(dāng)供給過剩5%時(shí)，價(jià)格則會(huì)腰斬。當(dāng)前存儲(chǔ)市場(chǎng)正處于至少短缺5%的供需格局，這意味著存儲(chǔ)器高價(jià)位態(tài)勢(shì)將持續(xù)下去。中芯國(guó)際可提供特色存儲(chǔ)NOR、NAND提供更高密度、更小尺寸、更低功耗的高可靠存儲(chǔ)平臺(tái)。
另一家國(guó)產(chǎn)代工龍頭華虹半導(dǎo)體亦受益于存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)。隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)需求熱度持續(xù)攀升，帶動(dòng)華虹存儲(chǔ)代工需求同步拉升。其特色工藝平臺(tái)與存儲(chǔ)芯片制造需求適配度較高，相關(guān)業(yè)務(wù)營(yíng)收占比持續(xù)提升。
近日，花旗在其最新的展望中，展現(xiàn)了比野村證券更為激進(jìn)的看漲姿態(tài)。分析師認(rèn)為，受AI Agent（人工智能代理）普及和AI CPU內(nèi)存需求激增的驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格將在2026年出現(xiàn)失控式上漲。分析師將2026年DRAM的平均售價(jià)（ASP）漲幅預(yù)期從原本的53%暴力上調(diào)至88%，NAND的漲幅預(yù)期從44%上調(diào)至74%。這一需求增長(zhǎng)將直接帶動(dòng)存儲(chǔ)代工產(chǎn)能緊張，推動(dòng)相關(guān)代工廠產(chǎn)能利用率維持高位。
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