光刻機(jī)拆解傳聞:逆向工程思維應(yīng)休矣,自主創(chuàng)新需夯實(shí)

鈦度號
近日一則某企業(yè)試圖逆向拆解ASML的DUV(深紫外)光刻機(jī)的傳聞引發(fā)了我們對中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在和未來的再思考。

文 | 孫永杰

近日一則某企業(yè)試圖逆向拆解荷蘭ASML的DUV(深紫外)光刻機(jī),結(jié)果因操作失當(dāng)導(dǎo)致設(shè)備嚴(yán)重?fù)p壞,最終不得不求助ASML修理的“黑色幽默”般的傳聞在國內(nèi)半導(dǎo)體圈中引起了強(qiáng)烈關(guān)注和討論。盡管該事件細(xì)節(jié)尚未被權(quán)威渠道證實(shí),但結(jié)合當(dāng)下國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)在發(fā)展中所遭遇的種種,還是引發(fā)了我們對其現(xiàn)在和未來的再思考。

從機(jī)床黑箱到DUV系統(tǒng)級壁壘,逆向工程思維應(yīng)休矣

提及逆向工程,它曾是發(fā)展中國家追趕工業(yè)強(qiáng)國的“捷徑”。

例如20世紀(jì)中期,日本通過拆解福特汽車、德國通過仿制英國機(jī)床,快速實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的躍升。但進(jìn)入21世紀(jì),高端工業(yè)裝備的復(fù)雜性已超越單純“零件復(fù)制”的范疇,轉(zhuǎn)向“隱性知識”與“系統(tǒng)協(xié)同”。而此次傳聞中的DUV拆解失敗,正是這一轉(zhuǎn)向的極端例證,即針對目前高精尖工業(yè)設(shè)備已經(jīng)遠(yuǎn)非“拆得開裝不上”的機(jī)械問題,而是整個生態(tài)的“靈魂缺失”。

事實(shí)是,回溯傳統(tǒng)工業(yè)的反例,上述趨勢早已顯出端倪。

以德國高精度機(jī)床為例,一度業(yè)內(nèi)傳聞中的“拆解后自動偏離或鎖死”的現(xiàn)象,從純技術(shù)的角度,其并非毫無根據(jù),而是設(shè)計(jì)層面的容差系統(tǒng)、裝配張力與動態(tài)補(bǔ)償機(jī)制協(xié)同失效的表現(xiàn)(即便精確測量每一個零件,也無法重建其應(yīng)力平衡)。

比如德國廠商如DMG Mori在出口設(shè)備時,常嵌入陀螺儀、GPS模塊和軟件授權(quán)驗(yàn)證。一旦設(shè)備被移動或拆解超出授權(quán),系統(tǒng)會觸發(fā)漸進(jìn)式失效,包括軸向精度偏移、軟件凍結(jié)等,導(dǎo)致性能從微米級滑落至毫米級。在2022年俄烏沖突后,部分俄羅斯進(jìn)口設(shè)備曾被曝出現(xiàn)遠(yuǎn)程停用現(xiàn)象,盡管廠商并未公開承認(rèn)鎖死行為,但這一事件說明了現(xiàn)代機(jī)床的系統(tǒng)化安全設(shè)計(jì)已成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

具體到中國,也曾有企業(yè)曾進(jìn)口類似設(shè)備,并通過自研開源CNC系統(tǒng)(如華中數(shù)控)繞過鎖定,但這僅適用于軟件層,硬件的核心機(jī)械結(jié)構(gòu)(如導(dǎo)軌、絲杠)仍需原廠精度,替換后性能可能下降5-10%,而更深層的壁壘還有材料科學(xué)的“隱性配比”。例如德國精密絲杠中摻入微量的稀有元素(如鉭或錸),通過固溶強(qiáng)化將耐磨度提升數(shù)倍,而這種微量添加依賴無數(shù)次實(shí)驗(yàn)迭代,雖然逆向分析(如X射線熒光)能檢測成分,卻難還原其在晶體結(jié)構(gòu)中的動態(tài)影響。對此,Bosch Rexroth的專利顯示,這種知識是商業(yè)機(jī)密,即便是仿制,也需數(shù)年磨損測試。

類似地,日本FANUC導(dǎo)軌的淬火工藝(多次深度冷卻與高溫回火交替),以確保硬度HRC 58-62與韌性平衡,而據(jù)稱國內(nèi)企業(yè)簡化步驟后,成品壽命僅為原版的30-50%,易生裂紋。需要說明的是,這已不是簡單的“偷工減料”,而是忽略了溫控曲線的經(jīng)驗(yàn)積累,即每一步參數(shù)偏差,都會放大應(yīng)力,并最終導(dǎo)致系統(tǒng)級失效。

從上述這些機(jī)床的案例我們不難發(fā)現(xiàn),局部可逆,全局難復(fù):零件可測,工藝隱性;系統(tǒng)協(xié)同更難重構(gòu),而在光刻機(jī)上,這種系統(tǒng)協(xié)同壁壘被放大到了極致。

據(jù)ASML官方與多份行業(yè)報(bào)告統(tǒng)計(jì),其最新一代EUV系統(tǒng)包含10萬個零部件、涉及約5000多家供應(yīng)商,相較之下,浸沒式DUV(ArFi)雖然復(fù)雜度略低,但零部件數(shù)量同樣達(dá)數(shù)萬級,系統(tǒng)集成難度相近。

ASML全球供應(yīng)商體系,來源:ASML官網(wǎng)、電子產(chǎn)品世界、華金證券研究所

其中核心光學(xué)模塊由蔡司(Zeiss)獨(dú)家提供,鏡片加工精度達(dá)到亞納米級,任何一次鍍膜厚度波動都可能導(dǎo)致系統(tǒng)退化,至于它的對準(zhǔn)系統(tǒng)、雙工作臺、控制算法與曝光同步機(jī)制之間的微秒級閉環(huán)控制,更是靠上百項(xiàng)嵌入式專利實(shí)現(xiàn)。這意味著,即使完全拆解出DUV的所有零件,仍不可能重建那種“系統(tǒng)級協(xié)同”。正如華金證券《光刻機(jī)深度報(bào)告》中所言:高端光學(xué)元件的超精密制造與裝調(diào)技術(shù),是當(dāng)前高端裝備制造業(yè)最大短板。

Zeiss SMT DUV光刻機(jī)投影物鏡產(chǎn)品矩陣,來源:SPIE,Bloomberg,東吳證券研究所

由此可見,ASML的DUV系統(tǒng)并非單純硬件堆疊,而是光學(xué)、控制、材料、算法、軟件的融合,就連曝光臺上的“振動補(bǔ)償”都需依賴納米級氣浮系統(tǒng)、雙重反饋與AI建模修正。所以所謂的對于DUV的逆向拆解,不是拆得開,而是拆不出“靈魂”。

明知不可而為之背后,體系性鎖死的無奈與冒險(xiǎn)

如上述,作為業(yè)內(nèi)的廠商,理應(yīng)明知不可為,那為何還要去嘗試?這背后到底發(fā)生了什么?

眾所周知,自2018年中美貿(mào)易戰(zhàn)開始,美國主導(dǎo)的出口管制逐步升級。2023年后,美日荷“三邊協(xié)議”將EUV全面禁售,而在今年,ASML更是明確停止對中國最先進(jìn)DUV(NXT:2000i以上型號)的出口,甚至存量設(shè)備的維修、零部件更換和技術(shù)服務(wù)也受限。而事實(shí)卻是,中國依然是ASML的最大客戶(去年?duì)I收最高占比高達(dá)41%),這種高度依賴性始終是中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的軟肋。

2024年ASML中國大陸地區(qū)營收占比,來源:ASML投資者調(diào)研紀(jì)要,國金證券研究所

這里先不說國內(nèi)的中芯國際、華虹、長江存儲等晶圓廠逾百臺DUV機(jī)型,一旦斷供,生產(chǎn)線可能出現(xiàn)停滯,據(jù)TrendForce報(bào)告顯示,今年第三季度,中芯國際的7nm良率降至60%以下,部分原因竟是設(shè)備老化與維護(hù)滯后,也就是說ASML對于中國光刻機(jī)的維修、零部件更換和技術(shù)服務(wù)限制的負(fù)面影響也已開始顯現(xiàn)。

另據(jù)慧博智能投研《光刻機(jī)行業(yè)深度:核心技術(shù)、競爭格局、國產(chǎn)替代及相關(guān)公司深度梳理》報(bào)告顯示,中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈仍處于光機(jī)臺有進(jìn)展、光源和光學(xué)核心滯后的階段。例如上海微電子雖然具備90nm級KrF光刻機(jī)生產(chǎn)能力,且正在攻關(guān)28nm級ArF機(jī)型,但光源仍依賴Cymer、Gigaphoton,物鏡加工精度則受制于蔡司,且與國際主流的7納米/5納米制程存在巨大代差。更令業(yè)內(nèi)擔(dān)憂的是,即便是現(xiàn)有的國產(chǎn)設(shè)備,也常因停機(jī)率高、良率不穩(wěn)而難以被大規(guī)模采用。

綜上我們不難看到,中國光刻機(jī)面臨的是體系性封死的窘境,并通過整機(jī)、零配件、服務(wù),包括我們現(xiàn)在自主研發(fā)部分核心部件的依賴得以體現(xiàn),加之“自主可控”國家最高戰(zhàn)略的背景下,光刻機(jī)作為“卡脖子”環(huán)節(jié)的核心,業(yè)內(nèi)承受的突破壓力可見一斑。而這種種壓力使得一些決策者和執(zhí)行者出現(xiàn)短期內(nèi)急于求成的心理也自在情理之中。

基于此,不管DUV光刻機(jī)逆向拆解的傳聞是否為真,其背后反映的中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)外部極端限制與內(nèi)部高度渴望相互作用產(chǎn)生的無奈與冒險(xiǎn)應(yīng)是我們正視的事實(shí)。而在此事實(shí)之上,無論是國內(nèi)的晶圓廠還是設(shè)備商,都希望通過任何手段取得突破。

基礎(chǔ)創(chuàng)新到生態(tài)協(xié)同是正解,切忌“樣機(jī)思維”類突破

如前述,曾經(jīng)屢試不爽的逆向工程顯然已經(jīng)不適用于當(dāng)下高精尖工業(yè)設(shè)備,尤其是光刻機(jī)產(chǎn)業(yè),突破更無捷徑,唯有回歸基礎(chǔ)科學(xué),構(gòu)建完整生態(tài),方是正道。而這需要我們首先必須正視與國際頂尖水平的代差。

例如目前國內(nèi)領(lǐng)先的上海微電子已具備90納米量產(chǎn)能力,并正向28納米進(jìn)軍,這是巨大的進(jìn)步,但同時國際主流已在7納米和5納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行競爭。針對于此,在技術(shù)路徑上,國產(chǎn)化進(jìn)程應(yīng)腳踏實(shí)地,從成熟制程(90nm/65nm)的穩(wěn)定性和國產(chǎn)替代做起,穩(wěn)步推進(jìn),爭取在浸潤式DUV的某些關(guān)鍵模塊實(shí)現(xiàn)突破。

其次是必須集中資源攻克國際壟斷的核心環(huán)節(jié),例如光刻機(jī)的光源和光學(xué)系統(tǒng)。

事實(shí)是,無論DUV還是EUV的光源,目前尚被Cymer、Gigphoton壟斷。為此,我們需要加大對激光物理、高功率光源、以及EUV光源中LLP光源(激光輔助等離子體)等基礎(chǔ)科學(xué)的投入,建立從原理到工程化的完整技術(shù)鏈。至于光學(xué)系統(tǒng),則必須在超精密光學(xué)鏡頭的材料、研磨、拋光和鍍膜等工藝上實(shí)現(xiàn)突破。

最后則是必須回到基礎(chǔ)科學(xué)與生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新。從物理層面看,光刻機(jī)的分辨率由光源波長(λ)、數(shù)值孔徑(NA)和工藝系數(shù)(k1)共同決定,而要實(shí)現(xiàn)EUV級別的分辨率,不僅要擁有13.5nm波長光源,還要在鏡片、控制、掩模、光刻膠等多個環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)協(xié)同創(chuàng)新才行。

這里我們以長期被日本廠商(如JSR、信越化學(xué))壟斷的光刻膠為例,其配方、性能直接影響良率,這就需要我們不僅要實(shí)現(xiàn)ArF DUV光刻膠、甚至EUV光刻膠的國產(chǎn)化,還需與國產(chǎn)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)進(jìn)行全流程匹配與驗(yàn)證。

以上述作為標(biāo)準(zhǔn),中國目前的進(jìn)展雖然緩慢,但已顯露出結(jié)構(gòu)化突破的路徑。

例如在核心的光源方面,科益虹源、中科院光電所成功研制248nm和193nm準(zhǔn)分子激光器,打破了國外壟斷,為DUV國產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ);至于光學(xué)系統(tǒng),國望光學(xué)、國科精密正在研發(fā)NA=0.82~1.35級投影物鏡。

科益虹源產(chǎn)品矩陣,來源:儀器信息網(wǎng),華福證券研究所整理

而在光刻膠與掩膜版方面,南大光電、路維光電、晶瑞電材等實(shí)現(xiàn)了ArF正性光刻膠的突破,開始進(jìn)入晶圓制造驗(yàn)證環(huán)節(jié)。

在我們看來,這些成果雖尚未形成完整產(chǎn)業(yè)鏈,卻標(biāo)志著中國光刻機(jī)生態(tài)創(chuàng)新的雛形已現(xiàn)。

到這里,也許有業(yè)內(nèi)稱,目前國內(nèi)的光刻機(jī)不是時不時就曝出“突破”的好消息嗎?怎么還是雛形呢?這就引出了當(dāng)下我們在發(fā)展光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)時必須警惕的“樣機(jī)思維”的蔓延。

說到“樣機(jī)思維”(Prototype Thinking),它是一個工程學(xué)和管理學(xué)概念,常用于描述技術(shù)研發(fā)或產(chǎn)品開發(fā)過程中的一種常見偏差,表現(xiàn)為過度聚焦于制造出“能動”的原型機(jī)(prototype,即初步功能樣機(jī)),而忽略后續(xù)的量產(chǎn)化、穩(wěn)定性、成本控制和生態(tài)集成。這種思維模式在創(chuàng)新驅(qū)動的領(lǐng)域(如半導(dǎo)體、機(jī)械工程、軟件開發(fā))中尤為突出,往往導(dǎo)致“實(shí)驗(yàn)室成功、市場失敗”的尷尬局面。

當(dāng)我們明白了“樣機(jī)思維”,那么所謂的隔三岔五曝出的“突破”,含金量幾何想必業(yè)內(nèi)都心中有數(shù)。還是之前所述,惟有國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,齊頭并進(jìn),才能最大限度地避免“樣機(jī)思維”陷阱的自嗨式宣傳,做到物盡其用,真正提升中國芯片產(chǎn)業(yè)的制造水平。

寫在最后:

綜上,我們認(rèn)為,逆向拆解DUV光刻機(jī)的傳聞,不論真假,都在提醒我們,在信息透明、技術(shù)高度集成的今天,試圖通過逆向工程在最尖端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,無異于緣木求魚。而惟有像ASML從一個“漏水棚子”起步那樣,經(jīng)歷長期的沉淀與協(xié)作,打造出真正擁有底層創(chuàng)新能力和完整生態(tài)鏈的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)體系,甚至從中建立我們自己的第二條技術(shù)路徑,例如納米壓印(NIL)或電子束刻蝕等非光刻技術(shù),才能最終實(shí)現(xiàn)真正的“自主可控”。

本文系作者 孫永杰 授權(quán)鈦媒體發(fā)表,并經(jīng)鈦媒體編輯,轉(zhuǎn)載請注明出處、作者和本文鏈接。
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