至此，包括三星、SK海力士、美光在內(nèi)的全球前三大DRAM廠商，均已宣布退出DDR4市場(chǎng)，并敦促客戶加速向DDR5世代產(chǎn)品轉(zhuǎn)換。
自3月起，各大存儲(chǔ)晶圓原廠陸續(xù)宣布進(jìn)入新一輪減產(chǎn)或控產(chǎn)周期，同時(shí)下游客戶消化庫存進(jìn)程也基本結(jié)束，推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)逐步回暖，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格漲勢(shì)已從年初延續(xù)至二季度。
國(guó)盛證券數(shù)據(jù)顯示，DDR4產(chǎn)品漲幅尤為顯著，8Gb（512Mx16）2666 Mbps從年初的1.63美元，高增78.2%至6月10日的2.91美元；DDR4 8GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格也從4月的1.75美元，增長(zhǎng)56%至5月底的2.73美元。
此外，LPDDR4X/32Gb以及LPDDR4X/48Gb的價(jià)格，也從1月的5.4美元、9美元，調(diào)漲至6月的8.7美元、13.9美元，漲幅分別高達(dá)61%和54%。
有行業(yè)人士表示，DDR4內(nèi)存的定價(jià)目前處于混亂狀態(tài)，部分報(bào)價(jià)甚至上漲了高達(dá)100%。韓媒也報(bào)道稱，三星在5月初與主要客戶重新協(xié)商了定價(jià)條款，將DDR4內(nèi)存價(jià)格提高了約20%。
在DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出、美國(guó)關(guān)稅導(dǎo)致買方提前備貨等因素影響下，TrendForce預(yù)計(jì)，Server與PC DDR4模組價(jià)格在二季度將分別環(huán)比增長(zhǎng)18-23%和13-18%，到三季度分別環(huán)比增長(zhǎng)8%-13%和18%-23%。
當(dāng)前，全球算力需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)云廠商資本開支持續(xù)加碼。
海外科技巨頭（如亞馬遜AWS、微軟Azure、谷歌云）為搶占AI算力高地，2025年資本開支預(yù)計(jì)同比提升20%-30%，重點(diǎn)投向AI服務(wù)器集群與數(shù)據(jù)中心擴(kuò)建。國(guó)內(nèi)云廠商（如阿里云、騰訊云、華為云）也加速追趕，資本開支增速連續(xù)三個(gè)季度保持30%以上，聚焦國(guó)產(chǎn)AI芯片適配與算力網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化。
算力基建的規(guī)?；瘮U(kuò)張，直接推動(dòng)大容量存儲(chǔ)時(shí)代的提前到來，HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)已成為長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
一個(gè)最新的行業(yè)進(jìn)展是，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃在2025年底前交付第四代高帶寬存儲(chǔ)器樣品（HBM3），并預(yù)計(jì)從2026年開始全面量產(chǎn)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還設(shè)定了2027年開發(fā)第五代HBM（HBM3E）的目標(biāo)。
這意味著，在高端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)正逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)的差距，未來幾年內(nèi)有望與三星、SK海力士和美光等全球存儲(chǔ)芯片巨頭同臺(tái)競(jìng)技。
同時(shí)也需看清，國(guó)內(nèi)HBM3即將邁出關(guān)鍵一步的同時(shí)，國(guó)外巨頭已在沖刺HBM4。三星正按計(jì)劃推進(jìn)HBM4的開發(fā)，預(yù)計(jì)2025年下半年量產(chǎn)，2026年實(shí)現(xiàn)商業(yè)出貨；SK海力士于3月19日率先向客戶交付HBM4樣品，在時(shí)間上領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；美光已向關(guān)鍵客戶交付36GB、12層堆疊的HBM4樣品，用于2026年新一代AI平臺(tái)的量產(chǎn)準(zhǔn)備。
集邦咨詢分析指出，HBM迭代速度極快，預(yù)計(jì)到2025年，最新一代產(chǎn)品HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透入市場(chǎng)。
開源證券認(rèn)為，隨著國(guó)內(nèi)算力芯片出貨量持續(xù)提升，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)模組有望迎來市場(chǎng)規(guī)模提升及國(guó)產(chǎn)化率提升的雙擊。
GDDR方面，HBM采用TSV（硅通孔）技術(shù)堆疊DRAM die以大幅提升I/O數(shù)，再配合2.5D先進(jìn)封裝制程，在維持較低內(nèi)存頻率的同時(shí)達(dá)到更顯著的總通道寬度提升，目前已廣泛應(yīng)用于各類算力芯片中；利基存儲(chǔ)方面，隨邊緣端算力發(fā)展，NPU+3DRAM或成為產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，此外AI端側(cè)亦將拉動(dòng)Nor Flash等利基存儲(chǔ)需求。
隨著時(shí)間步入年中，A股半年報(bào)預(yù)告逐漸拉開帷幕。電子行業(yè)二季度整體業(yè)績(jī)延續(xù)了正常需求下的增長(zhǎng)趨勢(shì)。根據(jù)中信證券預(yù)期：
中信證券認(rèn)為，二季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)相對(duì)亮眼的細(xì)分板塊或在PCB、模擬、存儲(chǔ)、設(shè)備、光學(xué)、SoC、CIS中產(chǎn)生。
消費(fèi)電子板塊：下游需求整體相對(duì)平穩(wěn)，5月IoT搶出口，品牌公司陸續(xù)上新帶來看點(diǎn)。
半導(dǎo)體板塊：toB需求驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)性景氣，制造環(huán)節(jié)稼動(dòng)率環(huán)比提升，設(shè)備訂單穩(wěn)定增長(zhǎng)。
其中，制造/封測(cè)方面，制造公司營(yíng)收預(yù)計(jì)平穩(wěn)增長(zhǎng)，成熟制程與模擬業(yè)務(wù)需求佳；封測(cè)公司稼動(dòng)率環(huán)比提升，收入增長(zhǎng)可見度高于利潤(rùn)。
半導(dǎo)體設(shè)備/零部件領(lǐng)域，在手訂單有望穩(wěn)步確認(rèn)，多數(shù)公司收入預(yù)計(jì)增超30%，利潤(rùn)端分化，凈利率有望回升；訂單層面，先進(jìn)邏輯訂單強(qiáng)，存儲(chǔ)訂單平穩(wěn)，全年新簽訂單預(yù)計(jì)增30%左右。
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)芯片需求回暖、主流與利基DRAM漲價(jià)；模擬芯片消費(fèi)類平穩(wěn)，汽車及工控復(fù)蘇；功率器件受多領(lǐng)域需求復(fù)蘇影響，營(yíng)收有望普遍增長(zhǎng)。
電子零組板塊：AI+汽車需求持續(xù)景氣。AI持續(xù)高景氣，PCB受益于大客戶爬產(chǎn)及高端產(chǎn)能布局。
風(fēng)險(xiǎn)提示：中美貿(mào)易摩擦加??；下游市場(chǎng)需求不及預(yù)期；新技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期。
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