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必讀要聞一：技術領先！長三角智能網(wǎng)聯(lián)汽車試驗場正式運行

據(jù)媒體報道，國內首個覆蓋智能網(wǎng)聯(lián)汽車及自動駕駛能力測試全部場景要求的大型綜合封閉式智能網(wǎng)聯(lián)汽車試驗場——長三角（鹽城）智能網(wǎng)聯(lián)汽車試驗場正式運行。據(jù)介紹，長三角（鹽城）智能網(wǎng)聯(lián)汽車試驗場擁有全球第一個也是目前唯一一個在封閉汽車試驗場內建設的真實隧道場景。全長840米，深達地下13米，暗埋段呈S彎，長度達350米，并設有地下分流及地下合流匝道，可以實現(xiàn)在沒有GPS定位信號且網(wǎng)絡信號受到屏蔽時，測試智能網(wǎng)聯(lián)汽車感知、計算、決策、執(zhí)行等功能。

海通證券認為，從蘿卜快跑在武漢的運營來看，訂單量已經(jīng)非常龐大，增長迅速，無人駕駛車輛的商業(yè)化運營已成為事實。但是國內路況復雜，單車智能無法和其他車輛很好的交互，尤其涉及變道、上下匝道這樣路權分配的場景中，車路云是很好的解決方案，當前發(fā)展車路云的必要性也逐漸凸顯。而上海發(fā)放首批無駕駛人載客牌照許可也標志無人駕駛商業(yè)化運營在上海很快成為現(xiàn)實，智能駕駛和車路云協(xié)同發(fā)展恰逢其時。

記者采訪了解到，隨著光伏、風電、電動汽車等產(chǎn)品大量出口海外，急需先進儲能設備為電網(wǎng)穩(wěn)定運行保駕護航，儲能企業(yè)向海外市場輸出產(chǎn)品及服務的速度正大大提升。當前，國內儲能企業(yè)正處在有效利用先進產(chǎn)能，搶占海外市場的關鍵時期。除了陽光電源近日簽約全球最大儲能項目之外，據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來，已有億緯鋰能、寧德時代、瑞浦蘭鈞、國軒高科、鵬輝能源、海辰儲能、遠東電池等多家企業(yè)與海外客戶簽署了儲能系統(tǒng)訂單，預計訂貨量超過32GWh。

2024年1-5月，中國儲能電池累計出口量為8.4GWh，同比增長50.1%，這一增速遠高于同期動力電池2.9%的增速。尤其是5月，儲能電池出口量達到4GWh，同比增長高達664%，中國儲能電池出海明顯迎來了一個高峰期。業(yè)內人士表示，隨著電芯供給釋放、儲能市場價格戰(zhàn)加劇，各企業(yè)收入增速及盈利能力明顯出現(xiàn)分化，海外訂單獲取能力強的公司量、利增長顯著，未來具有全球業(yè)務布局、垂直一體化產(chǎn)業(yè)鏈及良好融資能力的企業(yè)，將在市場份額和盈利能力上更具競爭優(yōu)勢。

特斯拉計劃在年底前量產(chǎn)裝車完全采用干法電極的4680電池，這將是4680電池的“完全體”版本。事實上，2023年，特斯拉已在Cybertruck上采用4680電池，但那是一個妥協(xié)版，未能實現(xiàn)目標。現(xiàn)在，特斯拉離4680電池“完全體”只差臨門一腳。據(jù)報道，干法正極的4680電池設計近期已經(jīng)定型，這是大規(guī)模量產(chǎn)的前一步，特斯拉電池部門接下來會全力提升生產(chǎn)良率和效率，擴大產(chǎn)能。

4680電池是特斯拉在2020年發(fā)布的自研電池。特斯拉當時宣稱，新技術能讓電池成本降低50%，帶來更便宜的新車。本次大幅降本的關鍵正是干法電極工藝。現(xiàn)有動力電池的正、負極材料是漿狀物，即“濕法電極”，這使電池生產(chǎn)需經(jīng)歷烘干、溶劑回收等流程，耗時長、廠房占地面積大。而干法電極省去了上述流程，可以大幅縮減建廠占地和單位電池產(chǎn)能的資本投入，提升電池性能和生產(chǎn)效率。光大證券表示，在特斯拉和諸多電池廠的引領推動下，4680圓柱電池將在未來五年實現(xiàn)從0到1到N的快速增長，成為中高端乘用車電池的大趨勢，從而吸引更多廠商“入場”。

必讀要聞四：明年供應缺口或超20%，產(chǎn)能排擠效應有望掀漲價潮

行業(yè)媒體報道，供應鏈透露，已接獲三星通知，其高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品HBM3e通過英偉達（NVIDIA）認證，預計本季開始供貨，并將提撥高達三成既有DRAM產(chǎn)能生產(chǎn)HBM3e，造成龐大的產(chǎn)能排擠效應，“要趕緊備貨（DRAM）”，料將引爆DRAM漲價潮重頭戲，南亞科、威剛、十銓等臺廠坐享漲價利益。業(yè)界分析，三星是全球存儲器龍頭，DRAM市占高達45%以上，以三星擬提撥三成產(chǎn)能生產(chǎn)HBM3e換算，全球現(xiàn)有超過13%的DRAM產(chǎn)能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，導致DRAM市場供給更緊俏。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。摩根士丹利指出，由于近年來DRAM廠新增產(chǎn)能有限，疊加HBM消耗大量產(chǎn)能，DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級周期”，明年標準型DRAM供應缺口高達23%，將比HBM更缺，為近年罕見，價格將一路上漲。此外，大摩調升今年第三季DRAM和NAND芯片價格漲幅預估，由原預期8%和10%，上調至13%和20%，調升幅度高達六成以上。

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