我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件
2025.02.02 22:11?
在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件--鈦媒體快報(bào)】鈦媒體App 2月2日消息，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導(dǎo)體材料有望牽引我國(guó)航天電源升級(jí)換代。據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，以其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)可滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化、輕量化需求，對(duì)新一代航天技術(shù)發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。 (新華社)&pic=https://images.tmtpost.com/uploads/images/2023/10/20231026171706975.png)
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鈦媒體App 2月2日消息，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導(dǎo)體材料有望牽引我國(guó)航天電源升級(jí)換代。據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，以其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)可滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化、輕量化需求，對(duì)新一代航天技術(shù)發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。 (新華社)
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