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鈦媒體App 10月5日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破，將首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)。此外，N2工藝還結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%，晶體管密度將提升15%。